Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
J112AN Результаты поиска
Premium Поставщик
Поставщик
Премиум A
Element14
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Rohs | Q'ty | Цена | Купить сейчас |
J112
|
ONSEMI |  |
TRANSISTOR, JFET, -35V, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: | ROHS COMPLIANT | 3,698 | 5+ : $0.778 10+ : $0.348 100+ : $0.304 500+ : $0.277 1000+ : $0.272 5000+ : $0.266 |
Купить сейчас
|
|
J112
|
ONSEMI | |
TRANSISTOR, JFET, -35V, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: | ROHS COMPLIANT | 3,698 | 5+ : $0.778 10+ : $0.348 100+ : $0.304 500+ : $0.277 1000+ : $0.272 5000+ : $0.266 |
Купить сейчас
|
Премиум B
info
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
J112G
|
ONSemicond |
|
TO-92-3 | 850000 | 2016 | Instock | 26-10-25 |
Цитата
|
| J112126 | NXP |
|
NA | 56000 | 20+PB | Pb-Free | 26-10-25 |
Цитата
|
| J112D-12PL | TELEDYNE |
|
70 | 20+PB | Pb-Free | 26-10-25 |
Цитата
|
info
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| J112AN | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 26-10-25 |
Цитата
|
Базовый
| Поставщик | Номер части | MFG | Техническая спецификация | Описание | Q'ty | Датакод | Расположение | Рег Дата | RFQ |
| IC Agent Electronics Ins | J112AN | Newstock |
|
Original | 22500 | 2016+ | Instock | 2022-10-29 |
Цитата
|
1
J112AN Техническая спецификация
| MFG | Номер части | Техническая спецификация | Описание |
 List of Unclassifed... |
J112A |
213Kb/4P |
PLASTIC-CASE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS |