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100B10JW300XT 검색 결과
Premium 공급 업체
프리미엄 A
Element14
| 부품 번호 | MFG | 데이터 시트 | 부품 설명 | Rohs | Q'ty | 가격 | 바로 구매 |
100B101JW500XT
|
KYOCERA AVX |  |
RF CAPACITOR, 100PF, 500VDC, 1111; Capacitance:100pF; Voltage Rating:500VDC; Product Range:Porcelain | ROHS COMPLIANT | 94 | 1+ : $10.36 2+ : $9.7 3+ : $9.03 5+ : $8.36 10+ : $7.69 20+ : $7.54 |
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|
프리미엄 B
info
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| 부품 번호 | MFG | 데이터 시트 | 부품 설명 | Q'ty | 데이터 코드 | 위치 | Reg 날짜 | RFQ |
| 100B10JW300XT | ATC |
|
SMD | 75939 | 2020+ | Pb-Free | 26-09-18 |
문의
|
info
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| 부품 번호 | MFG | 데이터 시트 | 부품 설명 | Q'ty | 데이터 코드 | 위치 | Reg 날짜 | RFQ |
| 100B10JW300XT | ATC |
|
SMD | 174860 | 2020+ | Instock | 26-09-18 |
문의
|
일반
| 공급 업체 | 부품 번호 | MFG | 데이터 시트 | 부품 설명 | Q'ty | 데이터 코드 | 위치 | Reg 날짜 | RFQ |
| IC Agent Electronics Ins | 100B10JW300XT | ATC |
|
SMD | 174860 | 2020+ | Instock | 2022-10-29 |
문의
|
| FEDERAL INDUSTRY CO. | 100B10JW300XT | ATC |
|
SMD | 75939 | 2020+ | Pb-Free | 2026-09-01 |
문의
|
1
100B10JW300XT 데이터 시트
| MFG | 부품 번호 | 데이터 시트 | 부품 설명 |
 NXP Semiconductors |
100B100GW |
694Kb/16P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 8, 5/2006 |
| 100B100GW |
693Kb/16P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 9, 5/2006 |
|
 Freescale Semicondu... |
100B100JCA500X |
594Kb/16P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
|
NXP Semiconductors |
100B100JCA500X |
763Kb/20P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 6, 5/2006 |
| 100B100JCA500X |
955Kb/18P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 8, 3/2011 |
|
| 100B100JT500XT |
294Kb/8P |
RF Power GaN Transistor | |
 Winchester Electron... |
100B1016P95 |
393Kb/5P |
MARC REMOVABLE PIN & SOCKET CONTACTS |
|
Freescale Semicondu... |
100B101JP500X |
132Kb/12P |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
 Advanced Semiconduc... |
100B101JP500X |
2Mb/5P |
Silicon MOSFET Technology |
| 100B101JP500X |
1Mb/8P |
All Gold Bonding Scheme | |
|
NXP Semiconductors |
100B102JCA500X |
763Kb/20P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 6, 5/2006 |
| 100B102JCA500X |
955Kb/18P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 8, 3/2011 |
|
|
Freescale Semicondu... |
100B102JP500X |
132Kb/12P |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |