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| 부품 번호 | MFG | 데이터 시트 | 부품 설명 | Q'ty | 데이터 코드 | 위치 | Reg 날짜 | RFQ |
| A2G |
|
SOT223-5 | 18000 | 2016+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| A2G20219 |
|
SOP20W | 18000 | 2016+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| A2G22S190 | FREESCALE |
|
700 | 2020+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| A2G22S250 | FREESCALE |
|
700 | 2020+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| A2G22S251 | FREESCALE |
|
210 | 2020+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| A2G26S280 | FREESCALE |
|
560 | 2020+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| AF110N-A2G1T |
|
48000 | 2016+ | RoHS | 26-09-16 |
문의
|
||
| AF1253-A2G1Z | P-TWO |
|
846 | 2020+ | Instock | 26-09-16 |
문의
|
|
| AF410K-A2G1T |
|
48000 | 2016+ | RoHS | 26-09-16 |
문의
|
||
| AF724L-A2G1T |
|
48000 | 2016+ | RoHS | 26-09-16 |
문의
|
||
| A2G22S160-01SR3 | NXP |
|
NI-400S-240 | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
| A2G22S251-01SR3 | NXP |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
| A2G26H281-04SR3 | NXP |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
| A2G35S160-01SR3 | NXP |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
| A2G35S200-01SR3 | NXP |
|
- | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
| AF350P-A2G1AP-FPC0.5 |
|
48000 | 2016+ | RoHS | 26-09-16 |
문의
|
||
| A2G-100-F-40-1560.20/152916-L1 |
|
357 | 20+PB | Pb-Free | 26-09-16 |
문의
|
1
A2GESRW 데이터 시트
| MFG | 부품 번호 | 데이터 시트 | 부품 설명 |
 NXP Semiconductors |
A2G22S160-01S |
815Kb/18P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2015 |
| A2G22S160-01S |
761Kb/18P |
1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR Rev. 1, 01/2022 |
|
| A2G22S160-01SR3 |
815Kb/18P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2015 |
|
| A2G22S160-01SR3 |
761Kb/18P |
1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR Rev. 1, 01/2022 |
|
| A2G22S190-01S |
188Kb/9P |
RF Power GaN Transistor | |
| A2G22S190-01SR3 |
188Kb/9P |
RF Power GaN Transistor | |
| A2G22S251-01S |
297Kb/13P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |
|
| A2G22S251-01SR3 |
297Kb/13P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |
|
| A2G26H281-04S |
270Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 1, 02/2017 |
|
| A2G26H281-04SR3 |
270Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 1, 02/2017 |
|
| A2G35S160-01S |
325Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |
|
| A2G35S160-01SR3 |
325Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |
|
| A2G35S200-01S |
344Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |
|
| A2G35S200-01SR3 |
344Kb/10P |
RF Power GaN Transistor Rev. 0, 5/2016 |