Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
FDB047N10. Risultati di ricerca
Premium Fornitore
Premium A
Element14
| Numero parte | Mfg | Scheda dati | Descrizione | Rohs | Q'ty | Prezzo | Acquista ora |
FDB045AN08A0..
|
ONSEMI |  |
MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Sour | ROHS COMPLIANT BY-EXEMPTION | 100+ : $3.96 500+ : $2.99 1000+ : $2.94 |
Acquista ora
|
|
|
FDB045AN08A0..
|
ONSEMI | |
MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Sour | ROHS COMPLIANT BY-EXEMPTION | 1+ : $7.9 10+ : $4.53 100+ : $3.96 500+ : $2.99 1000+ : $2.94 |
Acquista ora
|
Premium B
info
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Numero parte | Mfg | Scheda dati | Descrizione | Q'ty | Datacode | Posizione | Reg Data | Rfq |
FDB047N10
|
FAIRCHILD |
|
7056 | 20+PB | Pb-Free | 26-10-10 |
Inchiesta
|
info
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Numero parte | Mfg | Scheda dati | Descrizione | Q'ty | Datacode | Posizione | Reg Data | Rfq |
|
FDB047N10
|
ON/ |
|
166400 | 2020+ | Instock | 26-10-10 |
Inchiesta
|
Di base
| Fornitore | Numero parte | Mfg | Scheda dati | Descrizione | Q'ty | Datacode | Posizione | Reg Data | Rfq |
| Renxim Electronic Limited. [ sales@renxim.com ] | FDB047N10. | NEW |
|
Original package well | 79050 | 2016+ | Globally & Immediately | 2026-01-06 |
Inchiesta
|
| RENXIM Electronics Co.,Ltd. | FDB047N10. | NEW |
|
Original package well | 79050 | 18+ | Globally & Immediately | 2025-08-02 |
Inchiesta
|
| SemiLex Electronics Inc. | FDB047N10. | IC |
|
NEW RoHS and More QTY | 58350 | 17+ | STK,Prompt delivery | 2026-09-29 |
Inchiesta
|
| LEOSNA IC TRADING CO. | FDB047N10. | Texas |
|
NEW & Original Parts | 53800 | 19+RoHS | Stock On Hand, Respond quickl | 2023-08-14 |
Inchiesta
|
1
FDB047N10. Scheda dati
| Mfg | Numero parte | Scheda dati | Descrizione |
 Fairchild Semicondu... |
FDB047N10 |
546Kb/8P |
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7m廓 |
| FDB047N10_12 |
1Mb/8P |
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7mW |