Engilsh
中文
한국어
Deutsch
日本語
Русский
Español
Français
Italiano
Português
polski
Tiếng Việt
V10P22CM3H Résultats de recherche
Premium Fournisseur
Fournisseur
Prime A
Element14
| Numéro d'article | MFG | Fiche de données | Description | Rohs | Q'ty | Prix | Acheter maintenant |
V10P22C-M3/H
|
VISHAY |  |
SCHOTTKY RECTIFIER, 200V, 10A, TO-277A; | ROHS COMPLIANT | 5+ : $1.11 10+ : $0.649 100+ : $0.617 500+ : $0.482 1000+ : $0.425 5000+ : $0.417 |
Acheter maintenant
|
|
|
V10P22C-M3/H
|
VISHAY | |
SCHOTTKY RECTIFIER, 200V, 10A, TO-277A; | ROHS COMPLIANT | 100+ : $0.617 500+ : $0.482 1000+ : $0.425 5000+ : $0.417 |
Acheter maintenant
|
Premium B
info
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Numéro d'article | MFG | Fiche de données | Description | Q'ty | Code de données | Emplacement | Date de régime | RFQ |
| V10P20-M3/86A | VIS |
|
42000 | 20+PB | Pb-Free | 26-11-03 |
Enquête
|
info
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Numéro d'article | MFG | Fiche de données | Description | Q'ty | Code de données | Emplacement | Date de régime | RFQ |
V10P20-M3/86A
|
VishaySemi |
|
TO-277ASMPC | 357 | 20+PB | Pb-Free | 26-11-03 |
Enquête
|
Basique
| Fournisseur | Numéro d'article | MFG | Fiche de données | Description | Q'ty | Code de données | Emplacement | Date de régime | RFQ |
| Lvangchip(HongKong).,Limited | V10P22C-M3/H | VishayGene |
|
SMD/DIP | 18800 | 23+ | Stock | 2024-03-06 |
Enquête
|
| Lvangchip(HongKong).,Limited | V10P22C-M3/I | VishayGene |
|
SMD/DIP | 18800 | 23+ | Stock | 2024-03-06 |
Enquête
|
| Lvangchip(HongKong).,Limited | V10P22CHM3/H | VishayGene |
|
SMD/DIP | 18800 | 23+ | Stock | 2024-03-06 |
Enquête
|
| Lvangchip(HongKong).,Limited | V10P22CHM3/I | VishayGene |
|
SMD/DIP | 18800 | 23+ | Stock | 2024-03-06 |
Enquête
|
1
V10P22CM3H Fiche de données
| MFG | Numéro d'article | Fiche de données | Description |
 Vishay Siliconix |
V10P22C |
97Kb/5P |
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A Revision: 02-Feb-2021 |
| V10P22C-M3/H |
97Kb/5P |
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A Revision: 02-Feb-2021 |
|
| V10P22C-M3/I |
97Kb/5P |
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A Revision: 02-Feb-2021 |
|
| V10P22CHM3/H |
97Kb/5P |
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A Revision: 02-Feb-2021 |
|
| V10P22CHM3/I |
97Kb/5P |
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A Revision: 02-Feb-2021 |