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06035J2R8ABSTR Suchergebnisse
Premium Anbieter
Anbieter
Premium A
Element14
| Artikelnummer | Mfg | Datenblatt | Beschreibung | Rohs | Q'ty | Preis | Kaufe jetzt |
06035A101JAT2A
|
KYOCERA AVX |  |
CAP, 100PF, 50V, 5%, C0G, 0603, REEL; Capacitance:100pF; Voltage Rating:50V; Ceramic Capacitor Case: | ROHS COMPLIANT | 4,000 | 4000+ : $0.015 20000+ : $0.012 40000+ : $0.011 |
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| 06035A8R0DAT2A | KYOCERA AVX | |
CAP, MLCC, 8PF, 50VDC, C0G/NP0, 0603; | ROHS COMPLIANT | 10+ : $0.52 100+ : $0.37 500+ : $0.34 1000+ : $0.31 2000+ : $0.26 4000+ : $0.25 |
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|
Premium B
info
FEDERAL INDUSTRY CO.
Singapore
Tess@sunnlyic.com
| Artikelnummer | Mfg | Datenblatt | Beschreibung | Q'ty | Datencode | Standort | Reg -Datum | RFQ |
| 06035J2R0BAWTR | AVX |
|
SMD | 81999 | 2020+ | Pb-Free | 26-11-10 |
Anfrage
|
| 06035J2R0BBSTR | AVX |
|
21000 | 20+PB | Pb-Free | 26-11-10 |
Anfrage
|
|
06035J2R0BBTTR
|
AVX |
|
SMD | 81999 | 2020+ | Pb-Free | 26-11-10 |
Anfrage
|
| 06035J2R0CBTTR | AVX |
|
SMD | 81999 | 2020+ | Pb-Free | 26-11-10 |
Anfrage
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| 06035J2R0PBSTR | AVX |
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SMD | 81999 | 2020+ | Pb-Free | 26-11-10 |
Anfrage
|
info
IC Agent Electronics Ins
USA
Kevin@ic-agent.com
| Artikelnummer | Mfg | Datenblatt | Beschreibung | Q'ty | Datencode | Standort | Reg -Datum | RFQ |
| 06035J2R8ABSTR | AVX |
|
SMD | 1543800 | 2020+ | Instock | 26-11-10 |
Anfrage
|
Basic
| Anbieter | Artikelnummer | Mfg | Datenblatt | Beschreibung | Q'ty | Datencode | Standort | Reg -Datum | RFQ |
| IC Agent Electronics Ins | 06035J2R8ABSTR | AVX |
|
SMD | 1543800 | 2020+ | Instock | 2026-11-03 |
Anfrage
|
1
06035J2R8ABSTR Datenblatt
| Mfg | Artikelnummer | Datenblatt | Beschreibung |
 NXP Semiconductors |
06035J2R0BBS |
468Kb/15P |
Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET) Rev. 4.1, 10/2014 |
| 06035J2R2BBS |
678Kb/15P |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014 |
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| 06035J2R2BBS |
901Kb/18P |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014 |
|
| 06035J2R2BS |
460Kb/21P |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014 |
|
| 06035J2R7BBS |
904Kb/19P |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier Rev. 3, 1/2007 |